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近日，復旦大學微電子學院教授張衛、周鵬團隊在存儲領域取得技術突破，開創了第三類存儲技術，該技術寫入速度比目前U盤快了一萬倍，且用戶可自行決定數據存儲時間。

據張衛教授介紹，目前半導體電荷存儲技術主要有兩類，第一類是易失性存儲，如計算機內存，數據寫入僅需幾納秒左右，但掉電后數據會立即消失;第二類是非易失性存儲，如U盤，數據寫入需要幾微秒到幾十微秒，但無需額外能量可保存10年左右。

在國際上，存儲設備的寫入速度和非易失性兩種特性一直不可兼得，而兩位教授的研發團隊不僅實現了內存級的讀寫速度，還在數據存儲時間方面取得了突破。

這種設備的數據保存周期能在10秒至10年之間按需調整。能夠實現數據有效期截止后自然消失，解決了特殊場景下數據傳輸與保密要求之間的矛盾。

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